Product | Product | Optical | Responsivity | Dark | Breakdown | Forward | Work | Datasheet |
InGaAs 300μm PD | 300μm | 1A/W@1310nm | <0.5nA | -38V | 0.5V | -40℃ to 85℃ | ||
InGaAs 500μm PD | 500μm | 1A/W@1310nm | <0.2nA | -38V | 0.5V | -40℃ to 85℃ | ||
InGaAs 1000μm PD | 1000μm | 1A/W@1310nm | <0.5nA | -38V | 0.45V | -40℃ to 85℃ | ||
InGaAs 2000μm PD | 2000μm | 1A/W@1310nm | <2nA | -38V | 0.4V | -40℃ to 85℃ | ||
InGaAs 3000μm PD | 3000μm | 1A/W@1310nm | <3nA | -38V | 0.4V | -40℃ to 85℃ | ||
InGaAs 3000μmX4000μm PD | 3000μmX4000μm | 1A/W@1310nm | <3nA | -36V | 0.4V | -40℃ to 85℃ | ||
InGaAs 4000μmX8000μm PD | 4000μmX8000μm | 1A/W@1310nm | <15nA | -36V | 0.4V | -40℃ to 85℃ | ||
InGaAs 5000μm PD | 5000μm | 1A/W@1310nm | <10nA | -33V | 0.4V | -40℃ to 85℃ | ||
甲烷气体(1654nm)探测用芯片 | 500μm | 1.05A/W@1640nm | <0.2nA | -38V | 0.5V | -40℃ to 85℃ | ||
甲烷气体(1654nm)探测用芯片 | 1000μm | 1.05A/W@1640nm | <0.5nA | -38V | 0.45V | -40℃ to 85℃ |